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NE3503M04-T2B-A

更新时间： 2024-01-14 20:51:55

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	199K
描述
NE3503M04-T2B-A

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NE3503M04-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.29
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.015 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	11 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3503M04-T2B-A 数据手册

NE3503M04

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA = +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Drain Current

Symbol

VDS

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

<R>

−

dBm

Input Power

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise specified)

Parameter

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Transconductance

Symbol

IGSO

Test Conditions

VGS = −3.0 V

MIN.

−

TYP.

0.5

MAX.

Unit

μA

<R>

IDSS

VDS = 2 V, VGS = 0 V

VGS (off)

VDS = 2 V, ID = 100 μA

−0.2

−0.7

−1.5

−

VDS = 2 V, ID = 10 mA

Noise Figure

VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz

−

0.45

12.0

0.65

−

<R>

Associated Gain

11.0

Data Sheet PG10456EJ03V0DS

1 2 345 6 7...11

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