5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NE3503M04-T2B-A
NE3503M04-T2B-A PDF预览

NE3503M04-T2B-A

更新时间： 2024-02-11 19:59:50
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 199K
描述
NE3503M04-T2B-A

阅读下载

获取价格

NE3503M04-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.29
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE3503M04-T2B-A 数据手册

 浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE3503M04-T2B-A的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR  
NE3503M04  
C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER  
N-CHANNEL HJ-FET  
FEATURES  
•
Super low noise figure and high associated gain  
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. @ VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz  
Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package  
Gate width: Wg = 160 μm  
<R>  
•
•
APPLICATIONS  
•
•
DBS LNB gain-stage, Mix-stage  
Low noise amplifier for microwave communication system  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
NE3503M04  
Order Number  
NE3503M04-A  
Package  
Quantity  
Marking  
V75  
Supplying Form  
Flat-lead 4-pin thin- 50 pcs (Non reel)  
• 8 mm wide embossed taping  
• Pin 1 (Source), Pin 2 (Drain) face  
the perforation side of the tape  
type super minimold  
NE3503M04-T2  
NE3503M04-T2-A  
3 kpcs/reel  
(M04) (Pb-Free)  
15 kpcs/reel  
NE3503M04-T2B NE3503M04-T2B-A  
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.  
Part number for sample order: NE3503M04  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Ratings  
4.0  
Unit  
V
−3.0  
V
IDSS  
mA  
μA  
mW  
°C  
Gate Current  
IG  
80  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Ptot  
125  
Tch  
+125  
−65 to +125  
Tstg  
°C  
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. PG10456EJ03V0DS (3rd edition)  
Date Published January 2009 NS  
Printed in Japan  
2003, 2009  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
1234567...11

下载PDF

与NE3503M04-T2B-A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NE3505M04 CEL HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

获取价格
NE3505M04-T2 CEL HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

获取价格
NE3508M04 CEL HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

获取价格
NE3508M04-A CEL HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

获取价格
NE3508M04-A RENESAS NE3508M04-A

获取价格
NE3508M04-T2 CEL HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

获取价格

与NE3503M04-T2B-A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证