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NE32684A-T2

更新时间: 2024-11-13 21:21:59
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET

NE32684A-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:4 V最大漏极电流 (ID):0.07 A
FET 技术:HETERO-JUNCTION最高频带:X BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE32684A-T2 数据手册

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