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NE329S01-T1B

更新时间: 2024-09-25 19:56:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET,

NE329S01-T1B 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:4 V最大漏极电流 (ID):0.02 A
FET 技术:HETERO-JUNCTION最高频带:X BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):11.5 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:RADIAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NE329S01-T1B 数据手册

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