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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.16 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 14 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE34018-A | CEL |
获取价格 |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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| NE34018-T1 | NEC |
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L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE34018-T1-63 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE34018-T1-64 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE34018-T2 | NEC |
获取价格 |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE34018-T2-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| NE34018-TI-63-A | CEL |
获取价格 |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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| NE34018-TI-64 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, PLASTIC, SOT-343, 4 PIN |
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| NE34018-TI-64-A | CEL |
获取价格 |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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| NE345L-10B | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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