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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | O-PRDB-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE329S01-T1 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE329S01-T1B | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE329S01-T1B | RENESAS |
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X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
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| NE33200 | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33200M | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33200N | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33284 | NEC |
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L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE33284A | NEC |
获取价格 |
L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE33284A_98 | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33284AS | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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