生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 4 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.02 A |
FET 技术: | HETERO-JUNCTION | 最高频带: | X BAND |
JESD-30 代码: | O-PRDB-G4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp): | 11.5 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | RADIAL | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE329S01-T1B | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun | |
NE329S01-T1B | RENESAS |
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X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET | |
NE33200 | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET | |
NE33200M | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET | |
NE33200N | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET | |
NE33284 | NEC |
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L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | |
NE33284A | NEC |
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L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | |
NE33284A_98 | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET | |
NE33284AS | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET | |
NE33284A-SL | NEC |
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L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |