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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 4 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.09 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KA BAND |
| JESD-30 代码： | O-XRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.165 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE32984D-T1 | NEC |
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ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET |
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| NE32984D-T1A | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE329S01 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE329S01-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE329S01-T1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE329S01-T1B | RENESAS |
获取价格 |
X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
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| NE33200 | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33200M | NEC |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33200N | NEC |
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SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE33284 | NEC |
获取价格 |
L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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