NE32900

更新时间： 2024-09-24 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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SCHEMATIC

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NE32900 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE, DIE-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最小漏源击穿电压：	4 V	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	KA BAND	JESD-30 代码：	DIE-4
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装形式：	DIE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11.5 dB	认证状态：	Not Qualified
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE32900 数据手册

NONLINEAR MODEL

NE32900

Ldx

SCHEMATIC

DRAIN

0.28nH

Lgx

GATE

0.35nH

Lsx

0.025nH

SOURCE

FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS ⁽¹⁾

UNITS

Parameter

Units

seconds

farads

henries

ohms

Parameters

VTO

-0.825

Parameters

time

capacitance

inductance

resistance

voltage

VTOSC

ALPHA

BETA

GAMMA

GAMMADC

0.148

0.081

0.05

2.5

RGMET

volts

current

amps

TNOM

XTI

MODEL RANGE

DELTA

VBI

0.7

Frequency: 0.5 to 26.5 GHz

0.6

1.43

Bias:

VDS = 1 V to 3 V, ID = 5 mA to 25 mA

IDSS = 54.3 mA @ VGS = 0, VDS = 2 V

1/98

1e-14

VTOTC

BETATCE

FFE

Date:

RIS

RID

TAU

3e-12

0.095e-12

5000

1e-9

0.42e-12

0.023e-12

0.3

CDS

RDB

CBS

CGSO

CGDO

DELTA1

DELTA2

0.6

0.5

VBR

Infinity

(1) Series IV Libra TOM Model

California Eastern Laboratories

EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR

RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES • Headquarters • 4590 Patrick Henry Drive • Santa Clara, CA 95054-1817 • (408) 988-3500 • Telex 34-6393 • FAX (408) 988-0279

24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) • Internet: http://WWW.CEL.COM

PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -8/98

DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

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