NE32584C-T1A

更新时间： 2024-11-12 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE32584C-T1A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	X-CXMW-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE32584C-T1A 数据手册

DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32584C

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

The NE32584C is a Hetero Junction FET that utilizes the

hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent

low noise and high associated gain make it suitable for DBS,

TVRO and another commercial systems.

PACKAGE DIMENSIONS

(Unit: mm)

1.78 ±0.2

FEATURES

•

Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., G^a= 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

Gate Length : L^gd 0.2 Pm

•

Gate Width .. : W^g= 200 Pm

ORDERING INFORMATION

SUPPLYING

PART NUMBER

LEAD LENGTH

MARKING

FORM

0.5 TYP.

NE32584C-SL

NE32584C-T1

STICK

L = 1.7 mm MIN.

Tape & reel

L = 1.0 r 0.2 mm

1000 pcs./reel

NE32584C-T1A

Tape & reel

L = 1.0 r 0.2 mm

5000 pcs./reel

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 qC)

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

V^DS

V^GS

I^D

4.0

–3.0

I^DSS

Gate Current

I^G

100

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

T^ch

T^stg

165

150

–65 to +150

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (TA = 25 qC)

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

V^DS

I^D

dBm

Input Power

Pⁱⁿ

Document No. P12275EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2515)

Date Published February 1997 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NE325S01_02	NEC	获取价格	C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE325S01-T1B	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32684A	NEC	获取价格	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE32684AS	NEC	获取价格	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE32684AS	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
NE32684A-SL	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
NE32684A-T1	NEC	获取价格	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE32684A-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H

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