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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 4 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.07 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE32684A-T1 | NEC |
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ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET |
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| NE32684A-T1 | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| NE32684A-T2 | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| NE32700 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | CHIP |
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| NE32702 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MACRO-X |
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| NE32708 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MICRO-X |
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| NE32740A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MACRO-X |
|
| NE32740B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | MACRO-X |
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| NE32900 | NEC |
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SCHEMATIC |
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| NE3290-44.736 | CRYSTEKMICROWAVE |
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Clock Oscillator 14 Pin Dip, 5V, HCMOS/TTL |
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