5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDS9925A
NDS9925A PDF预览

NDS9925A

更新时间： 2024-11-14 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 196K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

NDS9925A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9925A 数据手册

 浏览型号NDS9925A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9925A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9925A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9925A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9925A的Datasheet PDF文件第6页 
May 1998  
NDS9925A  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.060 W @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.075 W @ VGS = 2.7 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SOT-223  
SOIC-16  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-23  
D2  
D2  
5
6
7
8
4
D1  
D1  
3
2
G2  
S2  
1
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDS9925A  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
±8  
V
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
4.5  
A
15  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
NDS9925A Rev. A  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

中文翻译

下载PDF

NDS9925A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS8926A FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF7311TRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7301PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与NDS9925A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9925A/D84Z TI

获取价格

 		4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/L86Z TI

获取价格

 		4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/L99Z TI

获取价格

 		4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/S62Z TI

获取价格

 		4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met

与NDS9925A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证