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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS9936 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS9936/D84Z | TI |
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5A, 30V, 0.05ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDS9936/L86Z | TI |
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5A, 30V, 0.05ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDS9936/S62Z | TI |
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5000mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9936D84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS9936L99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS9942 | TI |
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3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| NDS9942 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 20 V, 0.125 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera |
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| NDS9942 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| NDS9942/L86Z | TI |
获取价格 |
3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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