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NDS9942

更新时间: 2024-09-28 19:46:51
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美国国家半导体 - NSC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
TRANSISTOR 3 A, 20 V, 0.125 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

NDS9942 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.91配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:0.125 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):100 ns
最大开启时间(吨):35 nsBase Number Matches:1

NDS9942 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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