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NDS9936

更新时间： 2024-09-27 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 345K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9936 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9936 数据手册

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February 1996  
NDS9936  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as DC/DC conversion,  
disk drive motor control, and other battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
5A, 30V. RDS(ON) = 0.05W @ VGS = 10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9936  
30  
Units  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
± 20  
± 5.0  
Drain Current - Continuous @ TA = 25°C  
- Continuous @ TA = 70°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 4.0  
- Pulsed  
@ TA = 25°C  
± 40  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9936.SAM  
1234567...10

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NDS9936 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DY FAIRCHILD

类似代替

 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4953 FAIRCHILD

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 Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS9926A FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与NDS9936相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9936/D84Z TI

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 		5A, 30V, 0.05ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9936/L86Z TI

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 		5A, 30V, 0.05ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9936/S62Z TI

获取价格

 		5000mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9936D84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS9936L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS9942 TI

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 		3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9942 NSC

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 		TRANSISTOR 3 A, 20 V, 0.125 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET Genera
NDS9942 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
NDS9942/L86Z TI

获取价格

 		3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9942/S62Z TI

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 		3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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