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NDS9933AF011

更新时间： 2024-11-15 14:38:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDS9933AF011 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9933AF011 数据手册

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January 1999  
NDS9933A  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
General Description  
This P-Channel enhancement mode power field ef-  
fect transistor is produced using Fairchild’s propri-  
etary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to mini-  
mize on-state resistance and provide superior  
switching performance.  
• -2.8 A, -20 V. RDS(on) = 0.14 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(on) = 0.19 Ω @ VGS = -2.7 V  
RDS(on) = 0.20 Ω @ VGS = -2.5 V.  
• High density cell design for extremely low RDS(on)  
.
These devices are particularly suited for low voltage  
apllications such as DC motor control and DC/  
DC conversion where fast switching,low in-line  
power loss, and resistance to transients are  
needed.  
•High power and current handling capability in a  
widely used surface mount package.  
• Dual MOSFET in surface mount package.  
D2  
D2  
D1  
4
5
6
7
8
D1  
3
2
1
G1  
S2  
G1  
SO-8  
S1  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
NDS9933A  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-20  
V
V
A
8
±
(Note 1a)  
-2.8  
-10  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
NDS9933A  
NDS9933A  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9933ARev. A  
12345678

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