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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDS9933A
NDS9933A PDF预览

NDS9933A

更新时间： 2024-09-27 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 193K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9933A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9933A 数据手册

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January 1999  
NDS9933A  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
General Description  
This P-Channel enhancement mode power field ef-  
fect transistor is produced using Fairchild’s propri-  
etary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to mini-  
mize on-state resistance and provide superior  
switching performance.  
• -2.8 A, -20 V. RDS(on) = 0.14 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(on) = 0.19 Ω @ VGS = -2.7 V  
RDS(on) = 0.20 Ω @ VGS = -2.5 V.  
• High density cell design for extremely low RDS(on)  
.
These devices are particularly suited for low voltage  
apllications such as DC motor control and DC/  
DC conversion where fast switching,low in-line  
power loss, and resistance to transients are  
needed.  
•High power and current handling capability in a  
widely used surface mount package.  
• Dual MOSFET in surface mount package.  
D2  
D2  
D1  
4
5
6
7
8
D1  
3
2
1
G1  
S2  
G1  
SO-8  
S1  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
NDS9933A  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-20  
V
V
A
8
±
(Note 1a)  
-2.8  
-10  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
NDS9933A  
NDS9933A  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9933ARev. A  
12345678

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与NDS9933A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9933A/L86Z TI

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 		2700mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9933A/S62Z TI

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 		2700mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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NDS9933AF011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDS9933AL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.11ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
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