NDS9925A_NL

更新时间： 2024-11-15 13:11:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOIC-8

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NDS9925A_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDS9925A_NL 数据手册

May 1998

NDS9925A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high

density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for

low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits

where fast switching, low in-line power loss, and

resistance to transients are needed.

4.5 A, 20 V. R_DS(ON)= 0.060 W @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 0.075 W @ V_GS= 2.7 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely

used surface mount package.

Dual MOSFET in surface mount package.

SuperSOT^TM-6

SOT-223

SOIC-16

SuperSOT^TM-8

SO-8

SOT-23

pin 1

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

NDS9925A

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±8

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

4.5

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_q_J_C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

NDS9925A Rev. A

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS9925AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
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