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NDS9925AF011

更新时间： 2024-11-15 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS9925AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9925AF011 数据手册

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May 1998  
NDS9925A  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.060 W @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.075 W @ VGS = 2.7 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SOT-223  
SOIC-16  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-23  
D2  
D2  
5
6
7
8
4
D1  
D1  
3
2
G2  
S2  
1
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDS9925A  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
±8  
V
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
4.5  
A
15  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
NDS9925A Rev. A  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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