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NDS9433/L86Z

更新时间: 2024-11-15 21:07:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
5.1A, 12V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

NDS9433/L86Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:12 V
最大漏极电流 (ID):5.1 A最大漏源导通电阻:0.075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDS9433/L86Z 数据手册

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