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NDS9435AL86Z

更新时间： 2024-09-28 14:35:03

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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NDS9435AL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5.3 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS9435AL86Z 数据手册

January 2002

NDS9435A

30V P-Channel PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gave drive

voltage ratings (4.5V – 25V).

• –5.3 A, –30 V

R_DS(ON)= 50 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 80 mΩ @ V_GS= –4.5 V

• Low gate charge

• Fast switching speed

Applications

• Power management

• Load switch

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Battery protection

• High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

–30

V_GSS

Gate-Source Voltage

–5.3

–50

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

1.2

P_D

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

125

R_θJA

R_θJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

NDS9435A

13’’

12mm

2500 units

NDS9435A Rev E(W)

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与NDS9435AL86Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS9435AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9925A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9925A/D84Z	TI	获取价格	4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/L86Z	TI	获取价格	4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/L99Z	TI	获取价格	4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A/S62Z	TI	获取价格	4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AF011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDS9925AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met

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