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NDS9435A PDF预览

NDS9435A

更新时间： 2024-09-27 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 221K
描述
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9435A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.44
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9435A 数据手册

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May 1996  
NDS9435A  
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-5.3A, -30V. RDS(ON) = 0.05W @ VGS = -10V  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulses in the avalanche and  
commutation modes. These devices are particularly suited  
for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and resistance  
to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.07W @ VGS = -6V  
RDS(ON) = 0.09W @ VGS = -4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON).  
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
D
D
5
6
7
8
4
D
D
3
2
1
G
S
1
pin  
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDS9435A  
-30  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
± 20  
V
(Note 1a)  
± 5.3  
± 20  
A
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
(Note 1c)  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
(Note 1)  
R
JC  
q
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9435A Rev B  
1234567...10

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NDS9435A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPS1100DR TI

功能相似

 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SO
STS5PF30L STMICROELECTRONICS

功能相似

 P - CHANNEL 30V - 0.053ohm - 5A SO-8 STripFET POWER MOSFET
TPS1100D TI

功能相似

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与NDS9435A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9435A/L86Z TI

获取价格

 		5300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9435A/L99Z TI

获取价格

 		5300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9435A/S62Z TI

获取价格

 		5300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9435A_02 FAIRCHILD

获取价格

 		30V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9435A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9435AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9435AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9435AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9925A FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9925A/D84Z TI

获取价格

 		4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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