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NDS9435

更新时间: 2024-11-15 21:03:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
4.6A, 30V, 0.07ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

NDS9435 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.76
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A最大漏极电流 (ID):4.6 A
最大漏源导通电阻:0.07 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):220 ns最大开启时间(吨):90 ns
Base Number Matches:1

NDS9435 数据手册

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