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NDS9435A

更新时间: 2024-11-15 19:58:07
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
5300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDS9435A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.37
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):2.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDS9435A 数据手册

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