NDS9430

更新时间： 2024-09-27 22:25:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	139K
描述
30V P-Channel PowerTrench MOSFET

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NDS9430 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A
最大漏极电流 (ID)：	5.3 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS9430 数据手册

May 2002

NDS9430

30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gate drive voltage

ratings (4.5V – 20V).

• –5.3 A, –30 V

R_DS(ON)= 60 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)=100 mΩ @ V_GS= –4.5 V

• Low gate charge

• Fast switching speed

Applications

• Power management

• Load switch

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Battery protection

• High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–30

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–5.3

–20

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

P_D

1.2

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

125

R_θJA

R_θJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

NDS9430

13’’

12mm

2500 units

NDS9430 Rev B

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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NDS9430 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS4435BZ	ONSEMI	功能相似	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
TPS1100DR	TI	功能相似	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| SO
TPS1100D	TI	功能相似	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与NDS9430相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS9430/D84Z	TI	获取价格	5300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9430/L86Z	TI	获取价格	5300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9430/L99Z	TI	获取价格	5300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9430/S62Z	TI	获取价格	5300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9430_02	FAIRCHILD	获取价格	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9430_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9430A	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9430A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9430A-F073	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
NDS9430-F073	FAIRCHILD	获取价格	Transistor

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