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NDS9430A_NL

更新时间： 2024-09-28 21:22:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOIC-8

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NDS9430A_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A	最大漏极电流 (ID)：	5.3 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS9430A_NL 数据手册

December 1997

NDS9430A

Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-5.3A, -20V. R_DS(ON)= 0.05W @ V_GS= -10V

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using National's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high energy

pulses in the avalanche and commutation modes. These

devices are particularly suited for low voltage applications such

as notebook computer power management and other battery

powered circuits where fast switching, low in-line power loss,

and resistance to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.065W @ V_GS= -6V

R_DS(ON)= 0.09W @ V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON).

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS9430A

-20

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

V_DSS

V_GSS

I_D

± 20

(Note 1a)

± 5.3

± 20

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

1.2

(Note 1c)

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDS9430A Rev.A

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS9430A-F073	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
NDS9430-F073	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
NDS9430L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9430S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS9433/D84Z	TI	获取价格	5.1A, 12V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9433/L86Z	TI	获取价格	5.1A, 12V, 0.075ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9435	TI	获取价格	4.6A, 30V, 0.07ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9435/D84Z	TI	获取价格	5.3A, 30V, 0.07ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9435/L86Z	TI	获取价格	5.3A, 30V, 0.07ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9435A	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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