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NDS8410

更新时间： 2024-11-10 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 266K
描述
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8410 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS8410 数据手册

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February 1996  
NDS8410  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
10A, 30V. RDS(ON) = 0.015W @ VGS = 10V  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
RDS(ON) = 0.020W @ VGS = 4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
5
4
3
2
1
6
7
8
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS8410  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
± 10  
± 50  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
PD  
1.2  
(Note 1c)  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8410 Rev B2  
1234567...10

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NDS8410 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS8410A FAIRCHILD

类似代替

 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS6690A ONSEMI

功能相似

 单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5
ZXMN3G32DN8TA DIODES

功能相似

 30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

与NDS8410相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8410/D84Z TI

获取价格

 		10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8410/L86Z TI

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 		10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8410/L99Z TI

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 		10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8410/S62Z TI

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 		10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8410A FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410A_04 FAIRCHILD

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 		Single 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
NDS8410AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8410AF011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDS8410AL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDS8410AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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