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NDP5060

更新时间： 2024-09-19 22:29:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 357K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP5060 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDP5060 数据手册

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October 1996  
NDP5060 / NDB5060  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
26 A, 60 V. RDS(ON) = 0.05 W @ VGS= 10 V.  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as automotive, DC/DC converters, PWM  
motor controls, and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise note  
NDP5060  
NDB5060  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
60  
60  
VDSS  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
±40  
V
VGSS  
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
ID  
26  
A
- Pulsed  
78  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
68  
W
W/°C  
°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.45  
-65 to 175  
TJ,TSTG  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP5060 Rev.A  
1234567...12

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与NDP5060相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP5060J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDP5060L FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP5060LJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDP5060S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDP506A TI

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 		26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
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 		26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP506AL/J69Z TI

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 		26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP506B NSC

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 		TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET

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