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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP5060S62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDP506A | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506AE | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506AL | NSC |
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TRANSISTOR 26 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP506AL | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506AL/J69Z | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506B | NSC |
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TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP506B | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP506B/J69Z | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP506BE | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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