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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 26 A | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 180 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 220 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP506AE | TI |
获取价格 |
26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506AL | NSC |
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TRANSISTOR 26 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP506AL | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506AL/J69Z | TI |
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26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506B | NSC |
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TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP506B | TI |
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24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506B/J69Z | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506BE | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP506BE | TI |
获取价格 |
24A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP506BEL | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 24 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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