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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDF02N60Z
NDF02N60Z PDF预览

NDF02N60Z

更新时间： 2024-01-05 11:15:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

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NDF02N60Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH-01, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：4.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：24 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDF02N60Z 数据手册

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NDF02N60Z, NDP02N60Z,  
NDD02N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 4.0 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 1 A  
DS(on)  
DSS  
600 V  
4.0 W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
V
NDF  
NDP  
600  
2.4  
NDD  
Unit  
V
N−Channel  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
D
2.4  
(Note 1)  
2.2  
1.4  
9
A
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
1.6  
(Note 1)  
1.6  
10  
A
A
R
q
JC  
T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current, V  
@ 10 V  
I
10  
(Note 1)  
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
24  
72  
30  
57  
W
V
q
JC  
D
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
120  
mJ  
Energy, I = 2.4 A  
D
ESD (HBM)  
V
2500  
V
V
esd  
(JESD 22−A114)  
4
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
4
T = 25°C) (Figure 17)  
A
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 2)  
2.4  
V/ns  
A
2
1
1
1
2
1
2
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
3
2
3
3
3
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
TO−220FP TO−220AB  
CASE 221D CASE 221ACASE 369D  
STYLE 1 STYLE 5  
STYLE 2  
IPAK  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
L
260  
°C  
°C  
Operating Junction and  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Storage Temperature Range  
MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 2.4 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 2  
NDF02N60Z/D  
 
1234567...10

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