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NDF05N50Z

更新时间： 2024-01-19 07:55:04

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9页	158K
描述
N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω

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NDF05N50Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, CASE 221AH, FULLPACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDF05N50Z 数据手册

NDF05N50Z, NDP05N50Z,

NDD05N50Z

N-Channel Power MOSFET

500 V, 1.25 W

Features

http://onsemi.com

• Low ON Resistance

• Low Gate Charge

• 100% Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

(TYP) @ 2.2 A

DS(on)

DSS

500 V

1.25 W

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

NDF

NDP NDD Unit

N−Channel

D (2)

Drain−to−Source Voltage

Continuous Drain Current R

500

DSS

4.7

(Note 1)

Continuous Drain Current

3.2

(Note 1)

3.2

, T = 100°C

G (1)

Pulsed Drain Current, V

10 V

(Note 1)

Power Dissipation R

S (3)

Gate−to−Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy,

130

= 5.0 A

ESD (HBM) (JESD22−A114)

3000

esd

RMS Isolation Voltage (t =

ISO

4500

0.3 sec., R.H. ≤ 30%, T =

25°C) (Figure 15)

Peak Diode Recovery

dv/dt

4.5 (Note 2)

V/ns

Continuous Source Current

(Body Diode)

Maximum Temperature for

Soldering Leads, 0.063″

(1.6 mm) from Case for 10 s

Package Body for 10 s

PKG

300

260

°C

DPAK

TO−220FP TO−220AB

CASE 221D CASE 221ACASE 369D

STYLE 1 STYLE 5

STYLE 2

IPAK

CASE 369AA

STYLE 2

Operating Junction and

Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

°C

stg

MARKING AND ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 6 of this data sheet.

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. Limited by maximum junction temperature

2. I = 4.4 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV

, T = +150°C

DSS

Publication Order Number:

December, 2009 − Rev. 0

NDF05N50Z/D

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