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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDF04N62Z
NDF04N62Z PDF预览

NDF04N62Z

更新时间： 2024-02-24 04:43:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 150K
描述
N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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NDF04N62Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 221D-03, TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.71Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：620 V
最大漏极电流 (ID)：4.4 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDF04N62Z 数据手册

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NDF04N62Z, NDP04N62Z,  
NDD04N62Z  
N-Channel Power MOSFET  
620 V, 1.8 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
V
R
(TYP) @ 2 A  
DS(ON)  
DSS  
• These Devices are Pb−Free and RoHS Compliant  
620 V  
1.8 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
N−Channel  
Parameter  
Symbol  
V
NDF  
NDP  
620  
NDD Unit  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
4.4  
(Note 2)  
4.4  
4.1  
2.6  
16  
A
D
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
2.8  
(Note 2)  
2.8  
18  
96  
A
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current,  
@ 10V  
I
18  
(Note 2)  
A
DM  
V
GS  
S (3)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
P
D
28  
83  
W
q
JC  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
V
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
120  
mJ  
Energy, I = 4.0 A  
D
ESD (HBM) (JESD22−A114)  
V
3000  
V
V
esd  
4
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
−
−
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
4
T = 25°C) (Figure 14)  
A
2
1
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
4.0  
V/ns  
A
1
1
2
1
2
3
2
3
3
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
3
DPAK  
TO−220FP TO−220AB  
IPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
CASE 221D CASE 221A  
STYLE 1  
CASE 369D  
STYLE 5  
STYLE 2  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for  
10 s Package Body for 10 s  
T
300  
260  
°C  
L
T
PKG  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
2. Limited by maximum junction temperature  
3. I = 4.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
This document contains information on some products that are still under development.  
ON Semiconductor reserves the right to change or discontinue these products without  
notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 1  
NDF04N62Z/D  
 
1234567...9

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与NDF04N62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDF04N62ZG ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 
NDF05N50Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω
NDF05N50ZG ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω
NDF05N50ZH ONSEMI

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NDF0610 FAIRCHILD

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