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NDF04N60Z

更新时间： 2024-02-10 15:33:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 148K
描述
N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts

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NDF04N60Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH-01, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.8 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDF04N60Z 数据手册

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NDF04N60Z, NDP04N60Z,  
NDD04N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
1.8 W, 600 Volts  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 2 A  
DS(ON)  
DSS  
600 V  
1.8 Ω  
Applications  
• Adapter (Notebook, Printer, Gaming)  
• LCD Panel Power  
• Lighting Ballasts  
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
4
Rating  
Symbol  
NDF  
600 (Note 1)  
4.0 (Note 2)  
NDD/NDP Unit  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
V
DSS  
V
A
A
2
1
1
1
1
2
2
3
2
I
I
D
3
3
3
DPAK  
TO−220FP TO−220AB  
CASE 221D CASE 221A CASE 369D  
STYLE 1 STYLE 5  
STYLE 2  
IPAK  
2.7 (Note 2)  
D
CASE 369AA  
STYLE 2  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current, V @ 10V  
I
14 (Note 2)  
A
W
V
GS  
DM  
Power Dissipation (Note 1)  
Gate−to−Source Voltage  
P
28  
95  
D
MARKING DIAGRAMS  
V
30  
51  
GS  
4
Drain  
Single Pulse Avalanche Energy,  
E
mJ  
AS  
L = 6.4 mH, I = 4.0 A  
D
ESD (HBM) (JESD 22−114−B)  
V
2500  
V
V
esd  
RMS Isolation Voltage (t = 0.3  
V
ISO  
4500  
−
NDF04N60ZG  
sec., R.H. ≤ 30%, T = 25°C)  
or  
A
(Figure 13)  
NDP04N60ZG  
AYWW  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
4.0  
V/ns  
A
Gate  
Source  
1
2
3
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
4
Gate Drain Source  
Drain  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for 10 s  
Package Body for 10 s  
T
300  
260  
°C  
L
T
PKG  
Drain  
2
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Drain  
1
3
Gate Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
A
Y
WW  
G
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size, 1 oz cu  
2. Limited by maximum junction temperature  
3. I = 4.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
June, 2009 − Rev. 0  
NDF04N60Z/D  
 
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDF04N60ZG ONSEMI

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