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NDF02N60ZH

更新时间： 2024-02-29 18:34:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 148K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NDF02N60ZH 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH-01, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：4.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：24 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDF02N60ZH 数据手册

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NDF02N60Z, NDD02N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 4.8 W  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
www.onsemi.com  
• ESD Diode−Protected Gate  
• 100% Avalanche Tested  
V
R
(MAX) @ 1 A  
DS(on)  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
DSS  
600 V  
4.8 W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
N−Channel  
Rating  
Symbol  
V
NDF  
NDD  
Unit  
V
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
600  
DSS  
Continuous Drain Current R  
(Note 1)  
I
2.4  
1.6  
2.2  
1.4  
A
q
D
JC  
JC  
Continuous Drain Current R  
I
D
A
q
T = 100°C (Note 1)  
G (1)  
A
Pulsed Drain Current, V @ 10 V  
I
10  
24  
9
A
W
V
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
57  
q
JC  
D
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy,  
D
E
AS  
120  
mJ  
I
= 2.4 A  
ESD (HBM)  
V
2500  
V
V
esd  
(JESD 22−A114)  
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 17)  
A
Peak Diode Recovery (Note 2)  
dv/dt  
4.5  
2.4  
V/ns  
A
1
2
3
Continuous Source Current (Body  
Diode)  
I
S
NDF02N60ZG,  
NDF02N60ZH  
TO−220FP  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads  
T
260  
°C  
°C  
L
CASE 221AH  
Operating Junction and  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Storage Temperature Range  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
4
4
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 2.4 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
2
3
1
1
2
3
NDD02N60ZT4G  
DPAK  
CASE 369AA  
NDD02N60Z−1G  
IPAK  
CASE 369D  
ORDERING AND MARKING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 7 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
January, 2014 − Rev. 8  
NDF02N60Z/D  
 
1234567...10

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NDF02N60ZH 替代型号

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