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NCP5106APG

更新时间： 2024-11-23 05:52:03
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安森美 - ONSEMI 驱动器
页数 文件大小 规格书
18页 148K
描述
High Voltage, High and Low Side Driver

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NCP5106APG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP8,.3针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.58
内置保护：UNDER VOLTAGE高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.78 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
标称输出峰值电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.45 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
表面贴装：NO温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40断开时间：0.17 µs
接通时间：0.17 µs宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

NCP5106APG 数据手册

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NCP5106A, NCP5106B  
High Voltage, High and Low  
Side Driver  
The NCP5106 is a high voltage gate driver IC providing two  
outputs for direct drive of 2 N−channel power MOSFETs or IGBTs  
arranged in a half−bridge configuration version B or any other  
high−side + low−side configuration version A.  
It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the  
high−side power switch. The driver works with 2 independent inputs.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
Features  
1
8
• High Voltage Range: Up to 600 V  
• dV/dt Immunity 50 V/nsec  
• Negative Current Injection Characterized Over the Temperature Range  
• Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V  
• High and Low Drive Outputs  
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
5106x  
ALYW  
G
1
• Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA  
• 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible  
NCP5106x  
AWLG  
1
PDIP−8  
P SUFFIX  
CASE 626  
YYWW  
• Up to V Swing on Input Pins  
CC  
• Extended Allowable Negative Bridge Pin Voltage Swing to −10 V  
for Signal Propagation  
• Matched Propagation Delays Between Both Channels  
• Outputs in Phase with the Inputs  
• Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies (Version A)  
• Cross Conduction Protection with 100 ns Internal Fixed Dead Time  
(Version B)  
NCP5106 = Specific Device Code  
x
A
= A or B version  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
L or WL  
Y or YY  
W or WW = Work Week  
G or G  
= Year  
= Pb−Free Package  
• Under V LockOut (UVLO) for Both Channels  
CC  
• Pin−to−Pin Compatible with Industry Standards  
• These are Pb−Free Devices  
PINOUT INFORMATION  
VBOOT  
VCC  
IN_HI  
IN_LO  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
DRV_HI  
BRIDGE  
DRV_LO  
Typical Applications  
• Half−Bridge Power Converters  
• Any Complementary Drive Converters (Asymmetrical Half−Bridge,  
Active Clamp) (A Version Only).  
8 Pin Package  
• Full−Bridge Converters  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NCP5106APG  
PDIP−8  
50 Units / Rail  
(Pb−Free)  
NCP5106ADR2G  
NCP5106BPG  
SOIC−8 2500 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
PDIP−8  
50 Units / Rail  
(Pb−Free)  
NCP5106BDR2G  
SOIC−8 2500 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 5  
NCP5106/D  
1234567...18

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