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NCP5109ADR2G

更新时间： 2024-11-24 00:59:19
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安森美 - ONSEMI 驱动光电二极管接口集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 120K
描述
High Voltage, High and Low Side Driver

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NCP5109ADR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：1.43内置保护：UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：0.17 µs接通时间：0.17 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

NCP5109ADR2G 数据手册

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NCP5109A, NCP5109B  
High Voltage, High and Low  
Side Driver  
The NCP5109 is a high voltage gate driver IC providing two  
outputs for direct drive of 2 N−channel power MOSFETs or IGBTs  
arranged in a half−bridge configuration version B or any other  
high−side + low−side configuration version A.  
www.onsemi.com  
It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the  
high−side power switch. The driver works with 2 independent inputs.  
MARKING  
DIAGRAMS  
Features  
• High Voltage Range: Up to 200 V  
• dV/dt Immunity 50 V/nsec  
• Negative Current Injection Characterized Over the Temperature Range  
• Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V  
• High and Low Drive Outputs  
8
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
5109x  
ALYW  
1
G
1
• Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA  
• 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible  
DFN10  
MN SUFFIX  
CASE 506DH  
5109x  
ALYWG  
G
• Up to V Swing on Input Pins  
CC  
• Extended Allowable Negative Bridge Pin Voltage Swing to −10 V  
for Signal Propagation  
5109 = Specific Device Code  
x
A
L
Y
W
G
= A or B version  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
• Matched Propagation Delays Between Both Channels  
• Outputs in Phase with the Inputs  
• Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies (Version A)  
• Cross Conduction Protection with 100 ns Internal Fixed Dead Time  
(Version B)  
(Note: Microdot may be in either location)  
• Under V LockOut (UVLO) for Both Channels  
CC  
• Pin−to−Pin Compatible with Industry Standards  
• These are Pb−Free Devices  
PINOUT INFORMATION  
VBOOT  
DRV_HI  
BRIDGE  
DRV_LO  
VCC  
IN_HI  
IN_LO  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
Typical Applications  
• Half−Bridge Power Converters  
• Any Complementary Drive Converters (Asymmetrical Half−Bridge,  
Active Clamp) (A Version Only).  
SOIC−8  
• Full−Bridge Converters  
1
VCC  
IN_HI  
VBOOT  
NC  
DRV_HI  
NC  
IN_LO  
GND  
DRV_LO  
BRIDGE  
DFN−10  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 16 of  
this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
February, 2017 − Rev. 2  
NCP5109/D  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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