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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.47 | Is Samacsys： | N |
| 内置保护： | UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers | 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 10 V | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 断开时间： | 0.17 µs |
| 接通时间： | 1.17 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCP5111PG | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High and Low Side Driver |
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| NCP51145 | ONSEMI |
获取价格 |
DDR 1.8 Amp Source Termination Regulator |
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| NCP51145_17 | ONSEMI |
获取价格 |
DDR 1.8 Amp Source Termination Regulator |
|
| NCP51145MNTAG | ONSEMI |
获取价格 |
DDR 1.8 Amp Source Termination Regulator |
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| NCP51145PDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
DDR 1.8 Amp Source Termination Regulator |
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| NCP51190 | ONSEMI |
获取价格 |
1.5A DDR Memory Termination Regulator |
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| NCP51190_14 | ONSEMI |
获取价格 |
1.5A DDR Memory Termination Regulator |
|
| NCP51190_17 | ONSEMI |
获取价格 |
1.5A DDR Memory Termination Regulator |
|
| NCP51190MNTAG | ONSEMI |
获取价格 |
1.5A DDR Memory Termination Regulator |
|
| NCP51198PDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A DDR 端接稳压器 |
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