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NCEP40PT13GU

更新时间: 2024-04-09 19:00:17
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新洁能 - NCEPOWER 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 657K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势,独特的栅极负压开启机制,使得P沟道功率

NCEP40PT13GU 数据手册

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NCEP40PT13GU  
http://www.ncepower.com  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 7 Capacitance vs Vds  
Figure 9 Power De-rating  
-Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature ()  
(Note3)  
Figure 8 Safe Operation Area  
Figure 10 Current De-rating  
Square Wave Pluse Duration(sec)  
Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page4  
V1.0  

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