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NCEP40T14A

更新时间: 2024-11-21 17:01:55
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 737K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T14A  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP40T14A uses Super Trench technology that is uniquely  
optimized to provide the most efficient high frequency switching  
performance. Both conduction and switching power losses are  
minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg.  
This device is ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification.  
Schematic Diagram  
General Features  
VDS =40V,ID =140A  
RDS(ON)=1.8mΩ (typical) @ VGS=10V  
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
175 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
100% UIS tested  
100% ΔVds tested  
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
TO-220 -3L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP40T14A  
NCEP40T14A  
TO-220-3L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Continuous  
Pulsed Drain Current  
±20  
V
VGS  
140  
109  
A
A
ID  
ID (100)  
IDM  
560  
A
Maximum Power Dissipation  
200  
W
PD  
Derating factor  
1.33  
1036  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.75  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  

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