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NCEP40T12AGU

更新时间： 2024-11-19 17:01:55
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 301K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP40T12AGU  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP40T12AGU uses Super Trench technology that is ● VDS =40V,ID =120A  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
RDS(ON)=2.05mΩ (typical) @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
switching power losses are minimized due to an extremely low ● Very low on-resistance RDS(on)  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% UIS TESTED!  
rectification  
100% ∆Vds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP40T12AGU  
NCEP40T12AGU  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
±20  
VDS  
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current (Package Limited)  
Maximum Power Dissipation  
120  
A
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
84.8  
400  
A
120  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.96  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
480  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.04  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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NCEP40T12GU NCEPOWER

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NCEP40T13AGU NCEPOWER

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