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NCEP40T11G PDF预览

NCEP40T11G

更新时间： 2024-11-21 15:19:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 767K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T11G 数据手册

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP40T11G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP40T11G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
General Features  
● VDS =40V,ID =110A  
Schematic Diagram  
RDS(ON)=2.2mΩ (typical) @ VGS=10V  
D
D
D
D
D
D
D
D
RDS(ON)=3.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
S
S
S
G
G
S
S
S
Top View  
Bottom View  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
rectification  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P40T11G  
NCEP40T11G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
110  
77.8  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
440  
A
Maximum Power Dissipation  
100  
W
PD  
Derating factor  
0.8  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
500  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40T11K NCEPOWER

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NCEP40T12AGU NCEPOWER

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