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NCEP40PT13GU

更新时间： 2024-04-09 19:00:17
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 657K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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NCEP40PT13GU  
http://www.ncepower.com  
Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
VDS=-40V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
-40  
-
1
V
-
-
-
-
μA  
nA  
IGSS  
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,ID=-250μA  
VGS=-10V, ID=-20A  
VGS=-4.5V, ID=-20A  
VDS=-5V,ID=-40A  
-1.0  
-1.6  
3.2  
4.8  
50  
-2.5  
4.0  
6.5  
-
V
-
-
-
mΩ  
mΩ  
S
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Dynamic Characteristics  
Input Capacitance  
Clss  
Coss  
Crss  
-
-
-
6100  
1500  
95  
-
-
-
PF  
PF  
PF  
VDS=-20V,VGS=0V,  
F=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 2)  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
-
-
-
-
13  
30  
-
-
-
-
-
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
Turn-on Rise Time  
VDD=-20V,ID=-20A  
VGS=-10V,RG=1.6Ω  
Turn-Off Delay Time  
75  
Turn-Off Fall Time  
14  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
86  
VDS=-20V,ID=-20A,  
VGS=-10V  
Gate-Source Charge  
17.5  
10.5  
Gate-Drain Charge  
Drain-Source Diode Characteristics  
Diode Forward Voltage  
Diode Forward Current  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
VSD  
IS  
VGS=0V,IS=-20A  
-
-
-
-
-1.2  
V
A
-
-130  
trr  
55  
75  
-
-
nS  
nC  
TJ = 25°C, IF =-65A  
di/dt = 100A/μs  
Qrr  
Notes:  
1. EAS condition : Tj=25℃,VDD=-20V,VG=-10V,L=0.5mH,Rg=25Ω  
2. Guaranteed by design, not subject to production  
3. These curves are based on the junction-to-case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a  
maximum junction temperature of TJ(MAX)=175°C. The SOA curve provides a single pulse rating.  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page2  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40PT15D NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品
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