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NCEP40T14G PDF预览

NCEP40T14G

更新时间： 2024-12-01 15:19:07
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
8页 1412K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T14G 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP40T14G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP40T14G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
● VDS =40V,ID =140A  
RDS(ON)=1.6mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=2.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P40T14G  
NCEP40T14G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
±20  
V
VGS  
140  
103  
560  
133  
1.06  
980  
A
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40T15A NCEPOWER

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