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NCEP40T20AGU

更新时间： 2024-11-21 15:19:31
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 732K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T20AGU 数据手册

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP40T20AGU  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP40T20AGU uses Super Trench technology that  
General Features  
is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
● VDS =40V,ID =200A  
RDS(ON)=0.95mΩ , typical @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P40T20AGU  
NCEP40T20AGU  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
±20  
V
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current (Package Limited)  
Maximum Power Dissipation  
200  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
150  
A
800  
A
180  
W
PD  
Derating factor  
1.44  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
1800  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.67  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40T20ALL NCEPOWER

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NCEP40T20ASL NCEPOWER

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NCEP40T20GU NCEPOWER

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NCEP40T35ALL NCEPOWER

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