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NCEP40T15GU

更新时间： 2024-11-18 15:19:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 1008K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP40T15GU 数据手册

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NCEP40T15GU  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
General Features  
Description  
● VDS =40V,ID =150A  
The NCEP40T15GU uses Super Trench technology that is uniquely  
optimized to provide the most efficient high frequency switching  
performance. Both conduction and switching power losses are  
minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This  
device is ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
RDS(ON)=1.09mΩ , typical@ VGS=10V  
RDS(ON)=1.5mΩ , typical@ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150°C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● 100% UIS tested  
● DC/DC Converter  
● 100% ΔVds tested  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
DFN5X6-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P40T15GU  
NCEP40T15GU  
DFN5X6-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
150  
106  
600  
135  
1.1  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
1500  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.93  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V8.1  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40T16LL NCEPOWER

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NCEP40T17A NCEPOWER

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