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NCEP40P65GU

更新时间： 2024-04-09 19:03:13

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
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6页	826K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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NCEP40P65GU 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP40P65GU

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_A-Case Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

-Vds Drain-Source Voltage (V)

T_A-Case Temperature (℃)

(Note3)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page4

V1.0

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NCEP40P65QU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品	获取价格
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