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NCEP40PT13D

更新时间： 2024-11-21 15:18:07
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 624K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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NCEP40PT13D  
http://www.ncepower.com  
NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
● VDS =-40V,ID =-130A  
The NCEP40PT13D uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification  
RDS(ON)=3.85mΩ (typical) @ VGS=-10V  
RDS(ON)=5.0mΩ (typical) @ VGS=-4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
●
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% ΔVds TESTED!  
TO-263-2L  
Schematic Diagram  
Top View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP40PT13D  
NCEP40PT13D  
TO-263-2L  
Ø330mm  
24mm  
800units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
-130  
-91  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
-520  
220  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
1.47  
1155  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.68  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40PT13GU NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品
NCEP40PT15D NCEPOWER

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