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NCEP40P80D

更新时间： 2024-11-18 15:19:11
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 504K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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NCEP40P80D 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP40P80D  
NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP40P80D uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
General Features  
● VDS =-40V,ID =-80A  
Schematic Diagram  
RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=-10V  
RDS(ON)=7.6mΩ (typical) @ VGS=-4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Marking and pin assignment  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
TO-263-2L top view  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP40P80D  
NCEP40P80D  
TO-263-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
-80  
-56.5  
-320  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
150  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
1
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
500  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP40P80G NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品
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