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NCEP008N30GU

更新时间： 2024-03-03 10:11:11

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	692K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP008N30GU 数据手册

NCEP008N30GU

http://www.ncepower.com

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

On Characteristics

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=30V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

μA

I_GSS

±100

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_FS

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=20A

V_GS=4.5V, I_D=20A

V_DS=5V,I_D=20A

1.0

1.7

0.55

0.80

100

2.5

0.8

1.35

mΩ

Drain-Source On-State Resistance

Forward Transconductance

Dynamic Characteristics

Input Capacitance

C_lss

C_oss

C_rss

6300

2400

140

V_DS=15V,V_GS=0V,

F=1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics ^{(Note 2)}

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Rise Time

V_DD=15V,I_D=20A

V_GS=10V,R_G=1.6Ω

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

102

19.5

16.5

V_DS=15V,I_D=20A,

V_GS=10V

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Drain-Source Diode Characteristics

Diode Forward Voltage

Diode Forward Current

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

V_SD

I_S

V_GS=0V,I_S=20A

1.2

395

t_rr

T_J= 25°C, I_F=100A

di/dt = 100A/μs

Qrr

130

Notes:

1. EAS condition : Tj=25℃,V_DD=15V,V_G=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω

2. Guaranteed by design, not subject to production

3. These curves are based on the junction-to-case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a

maximum junction temperature of T_J(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse rating.

Wuxi NCE Power Co., Ltd

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